Артикул: 2290337
Оперативная память Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
Цвет: -
Бренд: Samsung
Бренд: Samsung
Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung
Срок доставки в магазин 3-4 раб.дн. (7 шт.)
Ожидаемые даты доставки: 01 августа, 02 августа
Самовывоз бесплатно, наша доставка: 350 руб.
Характеристики | |
Количество контактов: | 288 |
Тип памяти: | UDIMM |
Модель: | M323R1GB4DB0-CWM |
Тайминги: | - |
RAS to CAS Delay (tRCD): | - |
Row Precharge Delay (tRP): | - |
Подсветка: | нет |
Производитель: | Samsung |
Тип оборудования: | Оперативная память |
Частота (MHz): | DDR5 - 5600 |
Тип модуля: | DIMM |
Объем одного модуля (ГБ): | 8 |
Количество модулей в комплекте (шт): | 1 |
Общий объем памяти (ГБ): | 8 |
Пропускная способность (МБ/с): | 38400 |
Поддержка ECC: | Нет |
Поддержка Reg: | Нет |
Низкопрофильная: | нет |
CAS Latency (CL): | 40 |
Радиатор: | Нет |
Напряжение (В): | 1.1 |
Чип: | - |
ширина(см): | 0.1 |
длина(см): | 13.0 |
высота(см): | 3.0 |
масса(кг): | 0.025 |
partNumber: | M323R1GB4DB0-CWM |
Цвет: | - |
Линейка: | - |
Количество чипов на модуле: | - |
Activate to Precharge Delay (tRAS): | - |
Поддержка водяного охлаждения: | - |
Нормальная операционная температура (Tcase): | - |
Расширенная операционная температура (Tcase): | - |
Компоновка чипов на модуле: | - |
Потребление энергии: | - |
Габариты (мм): | - |
Высота (мм): | - |
Вес (грамм): | - |
Дополнительная информация: | - |
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.